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MMBT918LT1G中文资料

MMBT918LT1G图片

MMBT918LT1G外观图

  • 大小：48.95KB
  • 厂家：ONSEMI
  • 描述：ON Semiconductor [VHF/UHF Transistor NPN Silicon]
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：RF 晶体管 (BJT)
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：15V
  • 频率 - 转换：600MHz
  • 噪声系数（dB典型值@频率）：6dB @ 60MHz
  • 增益：11dB
  • 功率 - 最大：225mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：20 @ 3mA，1V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：50mA
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MMBT918LT1GOSTR

MMBT918LT1G供应商

更新时间:2023-01-27 09:25:22
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MAX3223EIPWRMP2359DJ-LF-ZM25PE80-VMW6TGMUR440RLGMT47H32M16BN-3:DMMBZ5226BLT1MC2045-2QMAX4684EUBMP2365DN-LF-ZMIC2526-1BM

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